集思學院的「留學背景提升」微電子器件設計與仿真項目，適合電子工程、電子計算機工程、通信工程和電子技術等專業(yè)或者對微電子半導體物理感興趣的學生。
一、項目詳情
項目內容包括金屬、半導體與絕緣體晶格結構、帶隙和費米能級，載流子電流輸運與漂移擴散模型，半導體本征載流子濃度與摻雜改性，電阻率與方塊電阻，PN結與二極管方程等。學生將通過項目理論結合實際，接軌微電子半導體器件前沿理論與技術，在結束時提交項目報告，進行成果展示。
二、適合人群
大學生
電子工程、電子計算機工程、通信工程和電子技術等專業(yè)或者對微電子半導體物理感興趣的學生；學生需要具備傳感器、數字邏輯等電子工程相關基礎
三、項目大綱
金屬、半導體與絕緣體晶格結構、帶隙和費米能級Lattice structure,band gap and Fermi level in metals,semiconductors,and insulators
載流子電流輸運與漂移擴散模型Carrier transport,drift/diffusion model
半導體本征載流子濃度與摻雜改性Intrinsic carrier concentration and its modification by doping in semiconductors
電阻率與方塊電阻Resistivity and sheet resistance
PN結與二極管方程PN junctions and the diode equation
項目回顧與成果展示Program Review and Presentation
論文輔導Project Deliverables Tutoring
四、時間安排與收獲
7周在線小組科研學習+5周論文輔導學習共125課時
學術報告
*學員獲主導師Reference Letter
EI/CPCI/Scopus/ProQuest/Crossref/EBSCO或同等級別索引國際會議全文投遞與發(fā)表（可用于申請）
結業(yè)證書
成績單
集思學院科研品牌Path Academics通過創(chuàng)新技術方法和高學術道德標準，提供創(chuàng)新教育和跨學科研究項目，為全球大學生和優(yōu)秀高中生創(chuàng)造海外高校的教學環(huán)境。我們致力于通過實際科研學習和思考方式培養(yǎng)學生，并賦予他們能夠在下一階段學習中脫穎而出的能力。
